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韓國首爾半導(dǎo)體(Seoul Semiconductor)開發(fā)出了在1mm見方藍(lán)色LED芯片上組合熒光材料,實(shí)現(xiàn)了光通量為500lm左右的白色LED,并在“日本第5屆新一代照明技術(shù)展”(2013年1月16~18日于東京有明國際會展中心舉行)上展出。
該開發(fā)品的特點(diǎn)是比以前的產(chǎn)品更容易提高亮度。目前,三菱化學(xué)媒體公司(Mitsubishi Kagaku Media)已決定在LED燈泡產(chǎn)品(品牌名稱為“Verbatim”)上采用此次的開發(fā)品,預(yù)定從2013年3月開始量產(chǎn)。
此次開發(fā)品的晶體缺陷最少時(shí)僅為1×104平方厘米。普通的藍(lán)色LED芯片由于藍(lán)寶石基板與藍(lán)寶石基板上的GaN類半導(dǎo)體的晶格常數(shù)有很大差異,因此晶體缺陷密度達(dá)到5×108平方厘米。
憑借上述手段,開發(fā)品即使在高電流密度下,光輸出功率也不易降低,從而提高了單個白色LED的光輸出功率。今后的目標(biāo)是通過1mm見方的藍(lán)色LED芯片與熒光體的組合,實(shí)現(xiàn)1000lm的光通量。
首爾半導(dǎo)體在展區(qū)介紹稱,該公司正在開發(fā)利用GaN晶體非極性面的紫外LED芯片。將紫外LED芯片與紅、綠、藍(lán)色熒光材料組合后,便可輕松實(shí)現(xiàn)顯色性高的照明及色彩表現(xiàn)范圍大的液晶面板用背照燈。不過,紫外LED目前還存在發(fā)光效率比藍(lán)色LED低的課題。因此,該公司打算利用非極性面來實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率的紫外LED。
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