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LED光源與傳統(tǒng)光源相比具有節(jié)能、耐久等優(yōu)勢。紅光LED和綠光LED早已發(fā)明，但長期以來制造藍光LED成為一個難題，缺少了三原色中的藍色，就無法獲得可用于照明、且讓消費者感受舒適的白色LED光源。

直到赤崎勇、天野浩和中村修二3位教授發(fā)明了一種藍色發(fā)光二極管(LED)，幫助人們以更節(jié)能的方式獲得白色光源，為照明領(lǐng)域的發(fā)展帶來了根本性轉(zhuǎn)變。他們?nèi)艘惨虬l(fā)明“高亮度藍色發(fā)光二極管”榮獲2014年諾貝爾物理學獎。諾貝爾獎評選委員會對這項發(fā)明給予極高的評價：“白熾燈點亮了20世紀，21世紀將由LED燈點亮。”那么問題來了，未來LED燈會被取代嗎？又會被什么取代？
　　對此，“藍光之父”的諾貝爾物理學獎得主中村修二博士從2013年開始便在公開場合多次提及激光照明的優(yōu)勢并表示看好激光照明未來。在出席“2016中國·成都全球創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)交易會”時大膽預測：未來十年，激光照明將會取代LED照明。 
　　近日，中村修二博士在臺灣中央研究院發(fā)表了以“The Invention of High Efficient Blue LEDs and Future Solid State Lighting”為題的演講演說中，中村教授表示持續(xù)在研究如何制造更高演色性及更高外部量子效率(EQE)的發(fā)光二極體，提高演色性，可以提升照明應(yīng)用或是顯示器的顏色表現(xiàn)；而更高的外部量子效率，可以提升器件的發(fā)光效率。當然意料之中的，中村教授也談了一些有關(guān)激光照明的優(yōu)勢，這個我們后面再提。
　　先回顧一下藍光的歷史，時間來到1980年代，當時對于藍光器件有兩種材料選擇，一種是ZnSe；另一種就是GaN，從Cross section TEM可以觀察到在ZnSe做成長時有好的品質(zhì)，因為在GaN/Sapphire可以看到有一條一條黑色的線就是在半導體器件中常談?wù)摰娜毕荩怯绊懫骷屎艽蟮膬词种弧Ｔ?989年代時，ZnSe on GaAs substrate具有高品質(zhì)的結(jié)晶特性，同時有超過99%的研究者從事相關(guān)的研究工作，中村教授偏偏選擇了少于1%的人關(guān)注的GaN on Sapphire substrates，當時許多人都說GaN沒有未來，紛紛改投ZnSe的懷抱，中村的選擇可說是“背道而馳”。 
　　遙想筆者念書當年，曾經(jīng)帶著實驗室的孩子做實驗，其中一個課題就是研究利用MOCVD成長出來的ZnSe QW及ZnSe QD半導體器件的基礎(chǔ)物理特性，真心不騙，大伙兒在做PL實驗時，對光路還要刻意不將光對入到偵測器當中，避免偵測器超過可接收的強度，這是多么奢侈的包袱啊!由此可知為何ZnSe能吸引主流的目光。至于之后中村修二如何離經(jīng)叛道，用GaN逆轉(zhuǎn)勝，就是大家耳熟能詳?shù)墓适铝恕?nbsp;
　　演講的內(nèi)容也談到許多人擔心的藍害，雖然筆者會說這只是“一個人能接受多少量”的簡單問題，但中村修二這次沒有忽視主流的聲音，在加利福尼亞大學圣塔芭芭拉分校的團隊從事開發(fā)Blue-free的LED，用來解決藍害的問題，演講中中村表示主要是將主發(fā)光層移到UV的區(qū)段，一般LED是成長在藍寶石基板(有些公司研發(fā)的技術(shù)是利用SiC基板與Si基板)，然而為了減少晶格不匹配而產(chǎn)生的應(yīng)力效應(yīng)會造成內(nèi)部量子效率或外部量子效率的下降，中村的研發(fā)團隊則專心研究使用GaN基板，用以提升晶格匹配程度，其結(jié)晶品質(zhì)相較于Sapphire或SiC基板都要來得高。 
　　而中村修二成立公司Soraa， 亦往UV-LED的方向走，為了做到這一點，他們將GaN LED的發(fā)光峰值設(shè)計在在410nm～420nm之間的紫光，并搭配多磷光體混合物，使整個白光光譜覆蓋至700nm，這表示整個白光的頻譜將涵蓋人眼可視波長范圍(一般來說，人眼可是范圍約為400nm～700nm)，從紫光(400nm)到深紅色(700nm)連續(xù)且完整，這樣的好處是，使用者可以看到較為真實的白色。
　　在演講中，中村教授也提到，用LED當作白光是很棒的，但是若用激光則是更棒的一個想法，因為現(xiàn)行的LED結(jié)構(gòu)若要發(fā)光60W的白幟燈，用現(xiàn)行的LED排列需要約28平方毫米的面積，而目前他們研究的產(chǎn)品激光產(chǎn)品若要發(fā)光60W的白幟燈則需要大約0.3平方毫米的面積，面積是大幅的縮小。 
　　同時若使用激光器件后在增加電流密度后，外部量子效率竟然不會下降太多啊!這是多么厲害的一件事啊(這邊推薦大家去閱讀世界第一簡單的半導體原理 老葉科普堂(五))，因為從半導體器件物理可以知道LED或LD在增加電流密度后，雖然會越來越亮，但是會造成發(fā)光峰值紅移及外部量子效率下降，這是因為受到晶格震蕩的熱效應(yīng)而造成的下降，因此在平板顯示或是照明的用途會更多元。 
　　演講中，無線光通訊技術(shù)“Li-Fi”也是中村修二看重的技術(shù)，Li-Fi是使用發(fā)光二極體器件或激光器件作為資料傳輸?shù)膩碓础Ｒ虼讼胂褚患拢瑹艟呔褪峭ㄓ嵉幕嘏_，將訊號投射到各處和橋接訊號，讓電腦、家電、手機等上網(wǎng)。中村修二也提及若使用發(fā)光二極體器件的Li-Fi，將會比Wi-Fi傳輸資料快上10倍以上，而激光器件的Li-Fi更快。不過筆者就想到了，如果下班關(guān)燈，那就沒有網(wǎng)路啦!所以時間到就不能辦公。 
　　在演講結(jié)束后中村教授提及，在平板顯示科技應(yīng)用上，LED跟OLED還是可以保持競爭的，并特別提及u-LED是可能的技術(shù)方向。