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隨著進(jìn)入2023年，點(diǎn)間距<1.0mm的微間距LED市場(chǎng)進(jìn)一步崛起，伴隨著5G、8K等顯示趨勢(shì)的不斷深化，不僅僅是來(lái)自上游和終端價(jià)格的下滑，更是產(chǎn)生了MIP技術(shù)加速入市帶來(lái)的“路線”之爭(zhēng)。

Micro LED作為L(zhǎng)ED顯示時(shí)代的終極目標(biāo)，是讓點(diǎn)間距<0.1mm，但現(xiàn)有的技術(shù)瓶頸對(duì)大部分廠商來(lái)說(shuō)都是遙不可及的，而Mini LED點(diǎn)間距是0.1mm-0.9mm,因?yàn)橐部梢宰鳛镸icro LED的前哨站，已經(jīng)有相關(guān)廠商相繼擁有這一技術(shù)，但由于技術(shù)難度和成本問(wèn)題，目前的Mini LED還主要應(yīng)用于背光應(yīng)用層面。

目前，Mini LED封裝已經(jīng)形成了包括COB(Chip on Board)技術(shù)和IMD(Integrated Mounted Devices)集合封裝技術(shù)、MIP(Micro LED in Package)三種方案。那這三種方案又各有什么優(yōu)缺點(diǎn)，Voury卓華今天為您解惑。

首先從各自的技術(shù)層面來(lái)看COB是一種多燈珠集成化無(wú)支架封裝技術(shù)，直接將發(fā)光芯片封裝在PCB板上，省卻了繁瑣的表貼工藝，沒(méi)有了支架的焊接腳，每一個(gè)像素的 LED芯片和焊接導(dǎo)線都被環(huán)氧樹脂膠體緊密嚴(yán)實(shí)地包封在膠體內(nèi)，沒(méi)有任何裸露在外的元素，更像是一種面光源，整體性和防護(hù)性都比較優(yōu)。

IMD(Integrated Matrix Devices)矩陣式集成封裝方案(又稱為“N合1”或“多合一”)，目前典型方式為以2*2的形式，即4合1，集成封裝12顆RGB三色LED芯片。

MIP是一種基于Micro LED的新型封裝架構(gòu)，其脫胎于久經(jīng)歷練的小間距顯示產(chǎn)品，本質(zhì)是Micro LED和分立器件的有機(jī)結(jié)合，即將大面積的整塊顯示面板分開封裝，這樣更小面積下其良率控制將得到極大提升，同時(shí)測(cè)試環(huán)節(jié)從芯片后移至封裝段，將有效降低成本提升速率。

在往微間距顯示時(shí)代發(fā)展的過(guò)程中，SMD的封裝模式已難以突破更小的點(diǎn)間距，也很難保證高可靠性和防護(hù)性，產(chǎn)業(yè)需要COB、IMD、MIP等技術(shù)路線的接力，再加上全倒裝工藝的加持，采用巨量轉(zhuǎn)移方法，可有效縮小點(diǎn)間距。

自2016年COB封裝引起關(guān)注開始，潛心研究Mini LED 、Micro LED技術(shù)發(fā)展并結(jié)合COB封裝技術(shù)工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷成熟，PCB板墨色一致性和光學(xué)一致性得到不斷提升，已經(jīng)包括正裝COB和倒裝COB兩個(gè)系列產(chǎn)品，相較于IMD產(chǎn)品，COB封裝的優(yōu)點(diǎn)包括功率低，散熱效果好，色彩飽和度高等。

2021年，倒裝COB已經(jīng)觸碰到0.4mm的Mini LED層級(jí)，隨著技術(shù)的不斷革新，COB行業(yè)將繼續(xù)朝著Micro LED邁進(jìn)。

Voury卓華P0.7COB顯示屏，4K顯示，量產(chǎn)

2018年，隨著IMD封裝的異軍突起，行業(yè)似乎找到了暫時(shí)替代方案，并且最大程度保留產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的方法，IMD封裝設(shè)備80%以上兼容，經(jīng)過(guò)三年的發(fā)展，IMD封裝的微間距產(chǎn)品可以做到0.9mm，由于SMT的技術(shù)局限性，P0.7mm以下間距的產(chǎn)品基本難以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，隨著鍵位微縮化，產(chǎn)品綜合成本升高。

IMD可以看成一個(gè)小的COB單元，所面臨的的技術(shù)難題與COB封裝相似，難度有所降低，但I(xiàn)MD方案存在一定的物理極限，無(wú)法無(wú)限縮小像素間距。

IMD顯示屏

總的來(lái)說(shuō)，技術(shù)難題在不斷突破，微間距LED顯示行業(yè)正在努力實(shí)現(xiàn)Micro LED的技術(shù)目標(biāo)，不管是COB技術(shù)還是IMD技術(shù)，各技術(shù)路線的關(guān)鍵在于快速降本并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，隨著小間距的市場(chǎng)的爆發(fā)，市場(chǎng)對(duì)高密高清需求的提升，COB封裝和IMD封裝兩種不同技術(shù)路線的封裝形式也開始同臺(tái)競(jìng)技，成果還需要經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的檢驗(yàn)。

2022年，為了更好的發(fā)展Micro LED，國(guó)星光電推出新型MIP(Micro LED in Package)封裝器件方案，新型MIP封裝器件方案基于扇出封裝技術(shù)思路，國(guó)星光電通過(guò)自主開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線構(gòu)筑全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過(guò)將引腳電極放大，使其匹配當(dāng)前機(jī)臺(tái)設(shè)備，具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性強(qiáng)、可混BIN提高顯示一致性等優(yōu)點(diǎn)。

國(guó)星光電介紹，MIP顯示模組一致性高，黑占比超99%，采用特殊光學(xué)設(shè)計(jì)，水平視角≥174°，兼容性強(qiáng)，可兼容當(dāng)前設(shè)備機(jī)臺(tái)，可完成測(cè)試分選、易檢測(cè)修復(fù)，更易將Micro LED應(yīng)用于終端市場(chǎng)。

MIP顯示屏

MIP技術(shù)在封裝規(guī)模上堅(jiān)持一個(gè)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)完整像素，MIP是典型的獨(dú)立燈珠封裝，兼容下游表貼生產(chǎn)工藝，這使得MIP在測(cè)試、修復(fù)、工藝容錯(cuò)方面更為靈活，下游也因采用表貼傳統(tǒng)工藝、以及單一規(guī)格MIP就能滿足多規(guī)格終端產(chǎn)品的特點(diǎn)，變得更靈活。

MIP和COB共同競(jìng)爭(zhēng)下，“折中”的技術(shù)方案IMD可能會(huì)率先邊緣化或者退出歷史舞臺(tái)……但是，在共識(shí)之外，行業(yè)內(nèi)對(duì)MIP和COB技術(shù)的認(rèn)知分歧依然不小。

經(jīng)過(guò)多年COB技術(shù)的發(fā)展，COB產(chǎn)業(yè)已經(jīng)建立起成熟可靠的共給體系，且市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，最早一批的COB大屏已經(jīng)應(yīng)用超過(guò)5年之久，效果和可靠性表現(xiàn)得到了廣泛證實(shí)和檢驗(yàn)，COB作為一種高端技術(shù)方案，已經(jīng)深入人心，成為了高端市場(chǎng)選擇的標(biāo)桿。

MIP封裝的核心優(yōu)勢(shì)在于靈活，終端企業(yè)、特別是不掌握COB技術(shù)沒(méi)有進(jìn)入芯片級(jí)封裝工藝市場(chǎng)的終端品牌，將會(huì)是一次進(jìn)入微間距LED市場(chǎng)的極佳路徑，更多的中下品牌會(huì)通過(guò)MIP進(jìn)入微間距LED顯示市場(chǎng)，可能會(huì)帶來(lái)“山寨效應(yīng)”，參差不齊的終端品質(zhì)會(huì)對(duì)MIP技術(shù)的形象造成的影響還未可知，但MIP封裝技術(shù)以其生產(chǎn)組織靈活性，是不是會(huì)形成真實(shí)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，依然存在巨大懸念。

Voury卓華認(rèn)為，MIP的更大意義是在小間距和微間距上取代IMD和SMD，而不是與COB競(jìng)爭(zhēng)，未來(lái)可能會(huì)形成COB和MIP高低搭配的形勢(shì)，通過(guò)目前市場(chǎng)形勢(shì)來(lái)看，繼續(xù)做好COB，接納MIP是目前市場(chǎng)的一種選擇，在很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，COB和MIP合作會(huì)大于競(jìng)爭(zhēng)，都必須堅(jiān)持和持續(xù)投入提升，未來(lái)最終什么技術(shù)會(huì)統(tǒng)治微間距顯示，還需要時(shí)間去檢驗(yàn)。